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1.5V Drive Pch MOSFET
RQ1A070ZP
Structure
Silicon P-channel MOSFET
Dimensions (Unit : mm)
TSMT8
(8) (7) (6) (5)
Features
1) Low On-resistance.
2) Low voltage drive. (1.5 V)
3) High power package.
(1) (2) (3) (4)
Applications
Switching
Packaging specifications
Abbreviated symbol : YJ
Inner circuit
Each lead has same dimensions
Package
Taping
(8)
(7)
(6)
(5)
Type
Code
TR
RQ1A070ZP
Basic ordering unit (pieces)
3000
? 2
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
? 1
(1) Source
(2) Source
(3) Source
(4) Gate
<It is the same ratings for Tr1 and Tr2.>
(1)
(2)
(3)
(4)
(5) Drain
(6) Drain
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
? 12
± 10
Unit
V
V
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(7) Drain
(8) Drain
Drain current
Source current
(Body diode)
Total power dissipation
Channel temperature
Range of Storage temperature
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP
I S
I SP
P D
Tch
Tstg
? 1
? 1
? 2
± 7
± 28
? 1
? 28
1.5
150
? 55 to + 150
A
A
A
A
W
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 When mounted on a ceramic board
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth(ch-a) ?
Limits
83.3
Unit
° C/W
? Mounted on a ceramic board.
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/4
2009.08 - Rev.A
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